技術介紹

BG：是背面減薄(Backside Gridding)，采用In-Feed削磨的方式，將晶圓厚度減薄到目的厚度。提高芯片熱擴散效率、電性能、機械性能，減小封裝體積，及劃片加工量。

BM：是背面金屬化(Backside Metallization)， 使用電子束產(chǎn)生高溫（可達1000℃）蒸發(fā)金屬，使金屬原子在真空中直線運動，沉積在晶圓上，實現(xiàn)晶圓背面金屬化。

CP：是晶圓測試(Chip Probing)，采用測試機、探針臺以及探針卡來對晶圓進行測試，確保每顆芯片能滿足器件的特征或設計規(guī)格書（Specification），避免因芯片電性不良造成封裝損失。